Ce module double se distingue par sa capacité à gérer des puissances massives dans un encombrement particulièrement réduit. Son architecture interne optimise le passage du courant pour limiter la génération de calories inutiles.
La technologie silicium intégrée permet des transitions ultra-rapides entre l'état passant et bloqué, un facteur crucial pour les alimentations sans interruption protégeant les centres de données.
| Désignation | Spécification de sécurité |
|---|---|
| Modèle exact | 2MBI450U4N-170-50 (2MBI450U4N-120-50) |
| Tension crête | 1700 V / 1200 V |
| Intensité continue | 450 A |
| Technologie de puce | Trench Gate Field Stop |
Le choix des matériaux isolants garantit une excellente tenue diélectrique, empêchant la formation d'arcs électriques même en atmosphère humide ou poussiéreuse, typique des installations éoliennes ou des usines chimiques.
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